日前，山东力诺太阳能电力股份有限公司申报的《SPA器件结构柔性薄膜硅太阳电池产业化关键技术》项目和由山东华芯半导体有限公司牵头申报的《新型非易失存储器设计共性关建技术研究》项目顺利入选国家“863”计划，并获得国家专项资金支持。
据悉，今年国家首次将太阳能光伏发电技术列入“863”计划支持目录。力诺光伏此次申报的《SPA器件结构柔性薄膜硅太阳电池产业化关键技术》项目，主要内容是研发新一代薄膜太阳能电池，与普通晶硅太阳电池组件相比,柔性薄膜硅太阳电池用硅量将大幅减少,且柔性强,可像纸卷一样运输和安装、应用。项目完成后实现MW级柔性薄膜硅太阳电池量产，引领高效低成本太阳电池技术走出一条新路，并为下一步建设GW级柔性薄膜硅太阳电池生产线打下坚实基础，促进太阳能光伏发电的大规模应用。
该项目的成功申报标志着力诺集团成功占据光伏行业科技研发制高点。今后，力诺光伏将进一步加大科技研发的力度，争取早日实现新一代太阳能光伏技术的产业化。同时，该项目还将实现国内光伏产业产学研的有机结合。参加该项目的成员单位除力诺集团外还包括上海交通大学、清华大学、中国科学院半导体研究所等多家国内高端研发机构。通过项目联合研发，将取得多项光伏专利技术，并为国内太阳能光伏行业培养出一批高端研发人才，对于实施国家新能源战略具有重要意义。
另据了解，由山东华芯半导体有限公司牵头申报的国家863科技计划重大专项《新型非易失存储器设计共性关建技术研究》主题项目项目总投资1.4亿元，其中国家专项经费支持6961万元，自筹经费7039万元。这是山东华芯继承担“核高基”重大专项“面向安全适用计算机的高性能低功耗动态随机存储器(DRAM)芯片产品研发”项目后再次承担国家级重大研发专项，充分显示了山东华芯在中国半导体存储器领域的领先地位。
当前，大容量非易失存储器已经成为支撑我国网络通信、高性能计算和消费电子等电子信息产业发展的核心技术，但是由于我国相关产业缺乏竞争力，非易失存储技术成为制约我国微电子产业全面平衡发展的主要瓶颈之一。因此，研究先进的新型大容量非易失存储器，突破基于新原理和新结构的新型非易失存储器设计共性关键技术，对于我国信息技术及产业的发展具有重要的引领作用，是国家在“十二五”培育发展战略性新兴产业规划中重点支持的重大专项。
该项目将重点围绕与CMOS工艺兼容、适于大规模生产的非易失阻性随机存储器（RRAM）芯片设计相关的共性关键技术，从存储芯片设计角度出发，在RRAM存储器的制造工艺一致性、高速接口电路、高可靠纠错电路、芯片设计和测试等核心技术上取得突破，研制出国际先进水平的高速、高密度、低功耗、高擦写次数和高可靠的新型RRAM非易失存储芯片，设计RRAM的独立式和嵌入式应用验证系统，实现RRAM在主流高端领域的示范应用，取得一批自主知识产权和前沿性成果，抢占下一代新型存储器技术的制高点。
通过本项目的实施，将实现我国下一代存储器的自主创新，突破国外技术封锁和专利壁垒，将有力推动我国半导体存储器事业的发展，并为我国半导体存储器产业的建立和持续滚动发展做好核心技术、人才、队伍和基础设施的积累。项目的实施将有力提升山东省和济南市在国家集成电路领域中的地位，对于我省产业结构调整、提升创新水平、建设创新型省市都具有重要意义。（陈 波）
据悉，今年国家首次将太阳能光伏发电技术列入“863”计划支持目录。力诺光伏此次申报的《SPA器件结构柔性薄膜硅太阳电池产业化关键技术》项目，主要内容是研发新一代薄膜太阳能电池，与普通晶硅太阳电池组件相比,柔性薄膜硅太阳电池用硅量将大幅减少,且柔性强,可像纸卷一样运输和安装、应用。项目完成后实现MW级柔性薄膜硅太阳电池量产，引领高效低成本太阳电池技术走出一条新路，并为下一步建设GW级柔性薄膜硅太阳电池生产线打下坚实基础，促进太阳能光伏发电的大规模应用。
该项目的成功申报标志着力诺集团成功占据光伏行业科技研发制高点。今后，力诺光伏将进一步加大科技研发的力度，争取早日实现新一代太阳能光伏技术的产业化。同时，该项目还将实现国内光伏产业产学研的有机结合。参加该项目的成员单位除力诺集团外还包括上海交通大学、清华大学、中国科学院半导体研究所等多家国内高端研发机构。通过项目联合研发，将取得多项光伏专利技术，并为国内太阳能光伏行业培养出一批高端研发人才，对于实施国家新能源战略具有重要意义。
另据了解，由山东华芯半导体有限公司牵头申报的国家863科技计划重大专项《新型非易失存储器设计共性关建技术研究》主题项目项目总投资1.4亿元，其中国家专项经费支持6961万元，自筹经费7039万元。这是山东华芯继承担“核高基”重大专项“面向安全适用计算机的高性能低功耗动态随机存储器(DRAM)芯片产品研发”项目后再次承担国家级重大研发专项，充分显示了山东华芯在中国半导体存储器领域的领先地位。
当前，大容量非易失存储器已经成为支撑我国网络通信、高性能计算和消费电子等电子信息产业发展的核心技术，但是由于我国相关产业缺乏竞争力，非易失存储技术成为制约我国微电子产业全面平衡发展的主要瓶颈之一。因此，研究先进的新型大容量非易失存储器，突破基于新原理和新结构的新型非易失存储器设计共性关键技术，对于我国信息技术及产业的发展具有重要的引领作用，是国家在“十二五”培育发展战略性新兴产业规划中重点支持的重大专项。
该项目将重点围绕与CMOS工艺兼容、适于大规模生产的非易失阻性随机存储器（RRAM）芯片设计相关的共性关键技术，从存储芯片设计角度出发，在RRAM存储器的制造工艺一致性、高速接口电路、高可靠纠错电路、芯片设计和测试等核心技术上取得突破，研制出国际先进水平的高速、高密度、低功耗、高擦写次数和高可靠的新型RRAM非易失存储芯片，设计RRAM的独立式和嵌入式应用验证系统，实现RRAM在主流高端领域的示范应用，取得一批自主知识产权和前沿性成果，抢占下一代新型存储器技术的制高点。
通过本项目的实施，将实现我国下一代存储器的自主创新，突破国外技术封锁和专利壁垒，将有力推动我国半导体存储器事业的发展，并为我国半导体存储器产业的建立和持续滚动发展做好核心技术、人才、队伍和基础设施的积累。项目的实施将有力提升山东省和济南市在国家集成电路领域中的地位，对于我省产业结构调整、提升创新水平、建设创新型省市都具有重要意义。（陈 波）